| 发明名称 | GaN基LED外延片及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种GaN基LED外延片及其形成方法，其中该GaN基LED外延片包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的N型GaN层；形成在N型GaN层之上的量子阱层；形成在量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；形成在低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及形成在电子阻挡层之上的P型GaN层。本发明的GaN基LED外延片及其形成方法具有驱动电压低，内量子效率高的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN104347763A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201310317981.8 | 申请日期 | 2013.07.25 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 陈飞 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 张大威 |
| 主权项 | 一种GaN基LED外延片，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底之上的缓冲层；形成在所述缓冲层之上的N型GaN层；形成在所述N型GaN层之上的量子阱层；形成在所述量子阱层之上的第一超晶格结构层；形成在所述第一超晶格结构层之上的低温P型GaN层；形成在所述低温P型GaN层之上的电子阻挡层；以及形成在所述电子阻挡层之上的P型GaN层。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||