发明名称 用于双大马士革结构的蚀刻方法
摘要 本发明提供一种用于双大马士革结构的蚀刻方法,所述蚀刻方法包括如下步骤:在一介电层中形成贯穿介电层的密布的和稀疏的两种通孔,向两种通孔内均匀涂布填满抗反射层;进行软烤后采用回蚀刻工艺,使所述抗反射层的表面一与所述介电层的表面平齐后,停止所述回蚀刻工艺;进行预烤,当所述通孔中的抗反射层的留量达到预定值时,停止所述预烤,通过同时优化抗反射层的覆盖和蚀刻,解决了通孔中抗反射层的均匀性及提高了通孔中的抗反射层的留量,解决了高密度的通孔与其底部连接的蚀刻停止层所存在的剥离问题,以及简化了工艺流程,使通孔中填充抗反射层和蚀刻的2次工序简化为1次,简约了制造成本。
申请公布号 CN104347479A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201310324006.X 申请日期 2013.07.29
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 傅俊;戴海燕;杨晓松
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种用于双大马士革结构的蚀刻方法,其特征在于,包括如下步骤:在一介电层中形成贯穿介电层的密布的和稀疏的两种通孔,向两种通孔内均匀涂布填满抗反射层;进行软烤后采用回蚀刻工艺,使所述抗反射层的表面一与所述介电层的表面平齐后,停止所述回蚀刻工艺;进行预烤,当所述通孔中的抗反射层的留量达到预定值时,停止所述预烤。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号