发明名称 |
用于双大马士革结构的蚀刻方法 |
摘要 |
本发明提供一种用于双大马士革结构的蚀刻方法,所述蚀刻方法包括如下步骤:在一介电层中形成贯穿介电层的密布的和稀疏的两种通孔,向两种通孔内均匀涂布填满抗反射层;进行软烤后采用回蚀刻工艺,使所述抗反射层的表面一与所述介电层的表面平齐后,停止所述回蚀刻工艺;进行预烤,当所述通孔中的抗反射层的留量达到预定值时,停止所述预烤,通过同时优化抗反射层的覆盖和蚀刻,解决了通孔中抗反射层的均匀性及提高了通孔中的抗反射层的留量,解决了高密度的通孔与其底部连接的蚀刻停止层所存在的剥离问题,以及简化了工艺流程,使通孔中填充抗反射层和蚀刻的2次工序简化为1次,简约了制造成本。 |
申请公布号 |
CN104347479A |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201310324006.X |
申请日期 |
2013.07.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
傅俊;戴海燕;杨晓松 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种用于双大马士革结构的蚀刻方法,其特征在于,包括如下步骤:在一介电层中形成贯穿介电层的密布的和稀疏的两种通孔,向两种通孔内均匀涂布填满抗反射层;进行软烤后采用回蚀刻工艺,使所述抗反射层的表面一与所述介电层的表面平齐后,停止所述回蚀刻工艺;进行预烤,当所述通孔中的抗反射层的留量达到预定值时,停止所述预烤。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |