发明名称 光刻掩膜版及其制作方法
摘要 一种光刻掩膜版及其制作方法,其中光刻掩膜版,包括:所述基板,所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,基板的第一表面为曝光光线的入射面;所述基板内具有若干散射辅助图形;基板的第二表面上具有分立的若干掩膜图形。本发明的光刻掩模板减小了经过掩膜图形后不同方向的光强分布的不对称性,增大了光刻工艺窗口。
申请公布号 CN104345546A 申请公布日期 2015.02.11
申请号 CN201310315233.6 申请日期 2013.07.24
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 蔡博修
分类号 G03F1/36(2012.01)I 主分类号 G03F1/36(2012.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种光刻掩膜版,其特征在于,包括:基板,所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,基板的第一表面为曝光光线的入射面;所述基板内具有若干散射辅助图形;基板的第二表面上具有分立的若干掩膜图形。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号