| 发明名称 | 布线基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有窄间距TSV构造的布线基板及其制造方法。绝缘部(5)由填充在半导体基板(1)的厚度方向上所形成的槽或孔的内部(121)的绝缘物构成。柱状导体(311～316)被填充在以窄间距(d1、d2)配置在绝缘部(5)的面内且在厚度方向上延伸的槽或孔的内部。 | ||
| 申请公布号 | CN104347551A | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | CN201410389632.1 | 申请日期 | 2014.08.08 |
| 申请人 | 纳普拉有限公司 | 发明人 | 关根重信;池田博明;关根由莉奈 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 胡建新;朴勇 |
| 主权项 | 一种布线基板，包括半导体基板、绝缘部及多个柱状导体，上述绝缘部由填充于设置在上述半导体基板上的槽或孔的内部的绝缘物构成，上述多个柱状导体被填充在以窄间距设置在上述绝缘部的面内的槽或孔的内部，上述绝缘物包含通过Si微粒和有机Si化合物的反应形成的Si‑O键。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||