发明名称 |
复合集成传感器结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种复合集成传感器结构及其制造方法,该方法包括:提供基底,在其上形成掺杂区域;在基底表面淀积绝缘层;刻蚀绝缘层和基底形成槽;在基底表面和槽侧壁与底部淀积含掺杂元素的阻挡层;将其中的掺杂元素扩散至基底内,形成重掺杂层;去除槽底部的阻挡层,在槽侧壁上形成侧壁保护层;以侧壁保护层和绝缘层为掩模,继续刻蚀槽,形成深槽;腐蚀深槽,在基底内部形成腔体;在侧壁保护层之间填满隔离和/或填充材料;在基底表面制作导电引线和电极;在加速度传感器的区域淀积质量块,并作图形化;在质量块的周围形成隔离槽,质量块以悬臂形式与基底相连接。本发明采用正面的、与常规半导体工艺相兼容的工艺,具有实用、经济、高性能等优点。 |
申请公布号 |
CN102502479B |
申请公布日期 |
2015.02.11 |
申请号 |
CN201110366045.7 |
申请日期 |
2011.11.17 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
张挺;薛维佳;倪胜中;谢志峰 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;G01D21/02(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一种复合集成传感器结构的制造方法,所述复合集成传感器结构包括压阻式加速度传感器、温度传感器和压阻式压力传感器,所述制造方法包括步骤:提供基底(101),在所述基底(101)上形成多个掺杂区域(102),分别作为所述压力传感器的压阻阵列(004)、所述加速度传感器的压阻单元(007)和所述温度传感器单元(006);在所述基底(101)的表面淀积绝缘层(103);依次刻蚀所述绝缘层(103)和所述基底(101),在所述基底(101)中形成用于制作所述加速度传感器和所述压力传感器的腔体(109)的多个浅槽(104);在所述绝缘层(103)的表面和多个所述浅槽(104)的侧壁与底部淀积含高浓度掺杂元素的阻挡层(105);将所述阻挡层(105)中的掺杂元素扩散至多个所述浅槽(104)与所述阻挡层(105)接触的基底表面内,在多个所述浅槽(104)的侧壁与底部形成重掺杂层(106);去除所述绝缘层(103)的表面和多个所述浅槽(104)的底部的所述阻挡层(105),在多个所述浅槽(104)的侧壁上形成侧壁保护层;以所述侧壁保护层和所述绝缘层(103)为掩模,继续刻蚀多个所述浅槽(104),形成多个深槽(108);在所述基底(101)的内部采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(108),在所述基底(101)的内部分别形成所述压力传感器和所述加速度传感器的腔体(109);在多个所述浅槽(104)的侧壁保护层之间填满隔离和/或填充材料(110),形成插塞结构,将所述腔体(109)与外界隔离;在所述基底(101)的表面制作导电引线和电极(111);在所述加速度传感器的区域淀积质量块(112),并对其作图形化;在所述质量块(112)的周围形成隔离槽(113),所述隔离槽(113)穿透所述加速度传感器的腔体(109)上方的基底(101),所述质量块(112)以悬臂形式与所述基底(101)相连接。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |