电子材料抛光用片状刚玉相氧化铝粉体的制备方法

摘要

本发明公开了一种电子材料抛光用片状刚玉相氧化铝粉体的制备方法，首先将氢氧化铝在一定温度下快速脱水生成ρ相氧化铝；将氟化物和硼酸、氢氧化铝按比例混合研磨制得粉料添加剂；在ρ相氧化铝中按比例混入粉料添加剂后研磨得到混合物料；将混合物料在1450~1600℃条件下煅烧2~12小时，然后研磨、分级、烘干后，即可得到单颗粒晶体厚度1~2微米，直径8~25微米的片状刚玉相氧化铝粉体。本发明方法制得的粉体颗粒Na₂O杂质含量低，刚玉相含量高，具有特殊的六边形片状结构，作为磨料使用在研磨抛光过程中能始终与被加工面处于面-面结合的状态，达到研磨、抛光的效果，满足了硅晶片、电子平板玻璃等电子材料抛光的工艺要求。

主权项

一种电子材料抛光用片状刚玉相氧化铝粉体的制备方法，其特征在于：它包括下述步骤：第一步，将氢氧化铝在400~900℃条件下快速脱水生成ρ相氧化铝原料备用；第二步，将氟化铝、氟化铵、氟化钙或氟化锌中的任意一种和硼酸、氢氧化铝按照1:1:1的比例混合后研磨12~20小时，制得粉料添加剂备用；第三步，将第一步制得的ρ相氧化铝原料和第二步制得的粉料添加剂按100:0.6~6的质量比混合后研磨6~12小时，得到混合物料；第四步，将第三步得到的混合物料在1450~1600℃条件下煅烧2~12小时，得到六边形片状氧化铝晶体团聚体；第五步，将第四步得到的六边形片状氧化铝晶体团聚体研磨、分级、烘干后，即可得到单颗粒晶体厚度1~2微米，直径8~25微米的片状刚玉相氧化铝粉体。