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经营范围
发明名称
透明导电性薄膜
摘要
申请公布号
TWI473120
申请公布日期
2015.02.11
申请号
TW102136221
申请日期
2013.10.07
申请人
日东电工股份有限公司
发明人
竹安智宏;山本佑辅;金谷实;佐佐和明
分类号
H01B5/14;H01B1/08
主分类号
H01B5/14
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
一种透明导电性薄膜,其特征在于:其系具有薄膜基材、及形成于该薄膜基材上之铟锡氧化物之多晶层者,且上述多晶层于厚度方向上具有氧化锡之浓度梯度,上述多晶层之厚度方向中之氧化锡浓度之最大值为6重量%~12重量%,上述多晶层之厚度为10nm~35nm,且构成上述多晶层之晶粒之最大直径之平均值为380nm~730nm。
地址
日本
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