发明名称 透明导电性薄膜
摘要
申请公布号 TWI473120 申请公布日期 2015.02.11
申请号 TW102136221 申请日期 2013.10.07
申请人 日东电工股份有限公司 发明人 竹安智宏;山本佑辅;金谷实;佐佐和明
分类号 H01B5/14;H01B1/08 主分类号 H01B5/14
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种透明导电性薄膜,其特征在于:其系具有薄膜基材、及形成于该薄膜基材上之铟锡氧化物之多晶层者,且上述多晶层于厚度方向上具有氧化锡之浓度梯度,上述多晶层之厚度方向中之氧化锡浓度之最大值为6重量%~12重量%,上述多晶层之厚度为10nm~35nm,且构成上述多晶层之晶粒之最大直径之平均值为380nm~730nm。
地址 日本