| 发明名称 | 柔性半导体器件之制造方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI473213 | 申请公布日期 | 2015.02.11 |
| 申请号 | TW098124374 | 申请日期 | 2009.07.20 |
| 申请人 | 鸿海精密工业股份有限公司 | 发明人 | 王雪深;李群庆 |
| 分类号 | H01L21/84;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/84 |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种柔性半导体器件之制造方法，其包括以下步骤：提供一硬基底，该硬基底具有一表面；提供一柔性基底，该柔性基底具有一第一表面及与该第一表面相对设置之一第二表面，将该柔性基底之第一表面固定于所述硬基底之表面；采用半导体加工工艺直接于所述柔性基底之第二表面形成半导体器件；以及分离所述硬基底与所述柔性基底，形成一柔性半导体器件。 | ||
| 地址 | 新北市土城区自由街2号 | ||