发明名称 具有反熔丝的电路结构及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI473236 申请公布日期 2015.02.11
申请号 TW097121257 申请日期 2008.06.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 施泓林;廖文翔;朱赞錡
分类号 H01L23/525;H01L21/82 主分类号 H01L23/525
代理机构 代理人 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项 一种反熔丝结构,设置于一基底上,该基底中有至少一元件与一铜金属层,且该反熔丝结构包括:一底导体层,设置于该铜金属层上方,该底导体层与该铜金属层电性连接;一绝缘层,顺应地设置于该底导体层上,该绝缘层覆盖住该底导体层之边缘或转角处而构成一转角部;一顶导体层,顺应地设置于该绝缘层上;一介电层,设置于该基底与该底导体层之间,另一介电层,设置于该介电层与该基底之间,其中该底导体层与该介电层侧壁切齐且覆盖该另一介电层;以及一电容器,该电容器由下而上包括一下电极、一电容介电层与一上电极,该下电极与该底导体层由同一材料层形成,该电容介电层与该绝缘层由同一材料层形成,且该上电极与该顶导体层由同一材料层形成。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号