| 摘要 |
1. Диэлектрическая изолирующая среда, содержащая:а) гексафторид серы (SF), и/или тетрафторметан (CF), и/или трифториодметан (CFI), и/или оксид азота (NO, NO, NO), в смеси сb) по меньшей мере, одним дополнительным компонентом, представляющим собой по меньшей мере частично фторированный фторкетон.2. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем по меньшей мере частично фторированный фторкетон имеет температуру кипения выше -20°С.3. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем по меньшей мере частично фторированный фторкетон имеет температуру кипения ниже 50°С.4. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем фторкетон представляет собой перфторкетон, и/или представляет собой фторкетон, имеющий разветвленную алкильную цепь, и/или представляет собой фторкетон, имеющий полностью насыщенные соединения.5. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем по меньшей мере, частично фторированный фторкетон имеет общую структуруR1-CO-R2в которой радикалы R1 и R2 представляют по меньшей мере, частично фторированные цепи, причем упомянутые цепи независимо друг от друга являются линейными или разветвленными, и имеющими от 1 до 10 атомов углерода.6. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем по меньшей мере, частично фторированный фторкетон имеет от 4 до 12 атомов углерода.7. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем по меньшей мере, частично фторированный фторкетон содержит в точности 4, или в точности 5, или в точности 6 атомов углерода.8. Диэлектрическая изолирующая среда по п. 1, причем фторкетон имеет молекулярную формулу CFO, и, в частности, выбран из группы, состоящей из 1,1,1,3,4,4,4-гептафтор-3-(трифторметил)бутан-2-она, 1,1,1,3,3,4,4,5,5,5-дек |
