| 摘要 |
<p>Anordnung zur Steuerung eines IGBT-Transistors (Insulated-Gate Bipolar Transistor), welche Anordnung: Mittel (A11, RG) zur Steuerung eines IGBT-Transistors (IGBT) durch Zuführung einer Steuerspannung einem Gate des IGBT-Transistors über eine Gateresistanz aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Anordnung aufweist: Mittel (V11, V12, R11, R12, R13, R14, R15) zur Schaltung einer Zusatzresistanz parallel zur Gateresistanz als Reaktion darauf, dass die Spannung zwischen dem Gate und einem Emitter des IGBT-Transistors (IGBT) höher als ein vorbestimmter Grenzwert wird, welcher vorbestimmte Grenzwert wesentlich gleich hoch wie die dem Miller-Plateau des IGBT-Transistors entsprechende Spannung ist.</p> |
