DISPOSITIF A MEMOIRE, COMPRENANT AU MOINS UN ELEMENT SPINTRONIQUE ET PROCEDE ASSOCIE

摘要

Dispositif à mémoire (10), comprenant au moins un élément spintronique (11) adapté pour représenter un état parmi au moins n états associés à l'élément spintronique, n>1, caractérisé en ce que chacun des n états est associé à au moins une caractéristique d'un ensemble de skyrmions magnétiques (1) dans l'élément spintronique, et en ce que ladite caractéristique associée à un état n°i est distincte de ladite caractéristique associée à un état n°j lorsque les état n°i et j sont deux états distincts parmi les n états.