| 摘要 |
Die vorliegende Offenbarung sieht ein Verfahren vor, um eine integrierte Schaltungs-(IC)-Vorrichtung herzustellen. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Vorprodukts, das ein Substrat umfasst, das erste und zweite Metalloxid-Halbleiter-(MOS)-Bereiche aufweist. Die ersten und zweiten MOS-Bereiche umfassen erste und zweite Gate-Bereiche, Halbleiterschicht-Stapel, Source/Drain-Bereiche und Isolierbereiche. Das Verfahren umfasst das Freilegen und Oxidieren des ersten Halbleiterschicht-Stapels, um eine erste äußere Oxidschicht und einen ersten inneren Nanodraht auszubilden, und das Entfernen der ersten äußeren Oxidschicht, um den ersten inneren Nanodraht in dem ersten Gate-Bereich freizulegen. Ein erster High-k-/Metallgate-(HK/MG)-Stapel umschließt den ersten inneren Nanodraht. Das Verfahren umfasst das Freilegen und Oxidieren des zweiten Halbleiterschicht-Stapels, um eine zweite äußere Oxidschicht und inneren Nanodraht auszubilden, und das Entfernen der zweiten äußeren Oxidschicht, um den zweiten inneren Nanodraht in dem zweiten Gate-Bereich freizulegen. Ein zweiter HK/MG-Stapel umschließt den zweiten inneren Nanodraht. |
