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Eine Superjunction-Halbleitervorrichtung umfasst eine Superjunctionstruktur (102) einschließlich erster und zweiter Gebiete (103, 104), die abwechselnd längs einer ersten lateralen Richtung (x1) angeordnet sind und sich parallel längs einer zweiten lateralen Richtung (x2) erstrecken. Jedes einzelne Gebiet der ersten Gebiete (103) umfasst einen ersten Halbleiterbereich (105) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Jedes einzelne Gebiet der zweiten Gebiete (104) umfasst längs der ersten lateralen Richtung (x1) ein inneres Gebiet (106) zwischen entgegengesetzten zweiten Halbleiterbereichen (107a, 107b) eines zum ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzten zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine Breite (w1) des ersten Halbleiterbereichs (105) in einem Transistorzellgebiet (109) ist größer als in einem Randabschlussgebiet (110), und eine Breite (w2) von jedem einzelnen Bereich der zweiten Halbleiterbereiche (107a, 107b) in dem Transistorzellgebiet (109) ist größer als in dem Randabschlussgebiet (110). |
