| 摘要 |
<p>Halbleiterleistungsvorrichtung, die umfasst: ein aktives Gebiet, das so konfiguriert ist, dass es Strom leitet, wenn die Halbleitervorrichtung in einen leitenden Zustand vorgespannt ist; und ein Abschlussgebiet entlang einer Peripherie des aktiven Gebiets, wobei das Abschlussgebiet umfasst: ein erstes Siliciumgebiet (206, 306, 606) eines ersten Leitungstyps, das sich in einem zweiten Siliciumgebiet (204, 304, 604) eines zweiten Leitungstyps bis in eine erste Tiefe erstreckt, wobei das erste Siliciumgebiet und das zweite Siliciumgebiet (204, 304, 604) dazwischen einen PN-Übergang bilden; einen ersten Abschlussgraben (207, 307, 607), der sich in das zweite Siliciumgebiet (204, 304, 604) erstreckt und seitlich von dem ersten Siliciumgebiet (206, 306, 606) beabstandet ist; eine Isolierschicht (208, 308, 608), mit der die Seitenwände und die Unterseite des ersten Abschlussgrabens (207, 307, 607) überzogen sind; und eine leitende Elektrode (210, 310, 610), die den ersten Abschlussgraben wenigstens teilweise füllt.</p> |
