发明名称 |
Verfahren zur Züchtung eines Ingots und Ingot |
摘要 |
<p>Bereitgestellt wird ein Verfahren zur Züchtung eines Ingots. Das Verfahren zur Züchtung des Ingots umfasst das Schmelzen von Silizium, um eine Siliziumschmelzlösung anzufertigen, das Anfertigen eines Impfkristalls mit einer Kristallorientierung [110], das Züchten eines Verjüngungsabschnitts von dem Impfkristall und das Züchten eines Ingots mit der Kristallorientierung [110] von dem Verjüngungsteil. Der Verjüngungsteil weist einen Durchmesser von etwa 4 mm bis etwa 8 mm auf.</p> |
申请公布号 |
DE112012006260(T5) |
申请公布日期 |
2015.02.05 |
申请号 |
DE20121106260T |
申请日期 |
2012.11.30 |
申请人 |
LG SILTRON INC. |
发明人 |
JO, HWAJIN;KIM, SANGHEE;JUNG, YOUNGHO;KIM, NAMSEOK |
分类号 |
C30B15/00;C30B29/06;H01L21/02 |
主分类号 |
C30B15/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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