发明名称 Verfahren zur Züchtung eines Ingots und Ingot
摘要 <p>Bereitgestellt wird ein Verfahren zur Züchtung eines Ingots. Das Verfahren zur Züchtung des Ingots umfasst das Schmelzen von Silizium, um eine Siliziumschmelzlösung anzufertigen, das Anfertigen eines Impfkristalls mit einer Kristallorientierung [110], das Züchten eines Verjüngungsabschnitts von dem Impfkristall und das Züchten eines Ingots mit der Kristallorientierung [110] von dem Verjüngungsteil. Der Verjüngungsteil weist einen Durchmesser von etwa 4 mm bis etwa 8 mm auf.</p>
申请公布号 DE112012006260(T5) 申请公布日期 2015.02.05
申请号 DE20121106260T 申请日期 2012.11.30
申请人 LG SILTRON INC. 发明人 JO, HWAJIN;KIM, SANGHEE;JUNG, YOUNGHO;KIM, NAMSEOK
分类号 C30B15/00;C30B29/06;H01L21/02 主分类号 C30B15/00
代理机构 代理人
主权项
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