发明名称 Halbleiterbauelement mit kombiniertem passiven Bauelement auf der Chiprückseite
摘要 Es werden Halbleiterchips beschrieben, die ein Halbleiterbauelement und einen Kondensator auf einem einzelnen Substrat derart kombinieren, dass das Halbleiterbauelement und der Kondensator elektrisch voneinander isoliert sind. In einem Beispiel weist ein Halbleiterchip ein Substrat mit einer ersten Seite und einer zweiten Seite auf, wobei die zweite Seite der ersten Seite gegenüberliegt. Der Halbleiterchip weist ferner ein Halbleiterbauelement auf, das auf der ersten Seite des Substrats gebildet ist, und eine elektrisch isolierende Schicht, die auf mindestens einem Teil der zweiten Seite des Substrats gebildet ist. Der Halbleiterbaustein weist ferner ein Kondensatorbauelement auf, das auf mindestens einem Teil der elektrisch isolierenden Schicht auf der zweiten Seite des Substrats gebildet ist, wobei das Kondensatorbauelement von dem Halbleiterbauelement elektrisch isoliert ist.
申请公布号 DE102014110873(A1) 申请公布日期 2015.02.05
申请号 DE201410110873 申请日期 2014.07.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 GRUBER, MARTIN;MUNDING, ANDREAS
分类号 H01L25/16;H01L21/58;H01L23/492;H01L25/075;H01L27/06;H01L27/15 主分类号 H01L25/16
代理机构 代理人
主权项
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