一种利用TOP辅助的SILAR技术制备高量子产率、窄半峰宽核壳量子点的方法

摘要

本发明公开了一种利用TOP辅助的SILAR技术制备高量子产率、窄半峰宽核壳量子点的方法，包括步骤：1）制备Se-TOP储备液；Zn储备液；S储备液；2）CdO、硬脂酸反应制备硬脂酸镉，冷却，加入十八胺、十八烯，升温，注入Se-TOP储备液，生长，萃取纯化，最终溶于正己烷中；3）取CdSe量子点核的正己烷储备液，加入十八胺、十八烯，除掉正己烷、水、氧；加入三正辛基膦，加热，再滴入Zn储备液，充分作用，原位生长形成缓冲层，再降温，滴入S储备液，加热充分作用，原位生长第一层ZnS壳层；萃取纯化数次，最终溶于正己烷中，得到CdSe/ZnS核壳量子点的正己烷溶液。本发明制备的厚壳层CdSe/ZnS核壳量子点，具有高的量子产率、窄的半峰宽，且所得量子点发射波长精确可调。

主权项

一种利用TOP辅助的SILAR技术制备高量子产率、窄半峰宽核壳量子点的方法，其特征在于：包括以下步骤：1）核壳量子点母体溶液的制备：将Se粉溶解于三正辛基膦中，制备1‑2mol/L的Se‑TOP储备液；将ZnO、油酸、十八烯三者置于保护气氛下，285‑295℃反应，制备0.05‑0.2mol/L的Zn储备液；将S粉、十八烯置于保护气氛下，125‑135℃下反应制备0.05‑0.2mol/L的S储备液；2）CdSe核的制备：215‑225℃下，将CdO、硬脂酸于保护气氛下进行充分的反应，制备硬脂酸镉，冷却至室温，加入十八胺、十八烯，保护气氛下升温至265‑275℃，在此温度下注入Se‑TOP储备液，于245‑255℃下生长足够时间，再利用正己烷/甲醇体系萃取纯化数次，萃取纯化后的CdSe量子点核，最终溶于正己烷中，得到CdSe量子点核的正己烷储备液；3）CdSe/ZnS核壳量子点的制备：取CdSe量子点核的正己烷储备液，向其中加入十八胺、十八烯，真空除掉正己烷、水、氧；保护气氛下，于135‑145℃下加入活化剂三正辛基膦，将该混合体系加热至195‑205℃下进行充分活化，再滴入Zn储备液，充分作用，原位生长形成缓冲层，再降温至175‑185℃，滴入S储备液，加热至215‑225℃下充分作用，原位生长第一层ZnS壳层；再利用正己烷/甲醇体系萃取纯化数次，萃取纯化后的CdSe/ZnS量子点，再溶于正己烷中，得到CdSe/ZnS核壳量子点的正己烷溶液。