| 发明名称 | 硅控整流器ESD保护结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种硅控整流器ESD保护结构，包括：一硅控整流器其接地端通过并联的MOS管和第一电阻接地，所述MOS管栅极通过第二电阻接地；所述硅控整流器包括：位于P型阱顶端被P型阱隔离开的第一P+扩散区和第一N+扩散区，位于N型阱顶端被N型阱隔离开的第二P+扩散区和第二N+扩散区；第一P+扩散区和第一N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的接地端，第二P+扩散区和第二N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的静电端。本发明的硅控整流器ESD保护结构能提高硅控整流器开启后过低的骤回电压，能避免瞬态闩锁效应的发生。 | ||
| 申请公布号 | CN104332467A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201410446607.2 | 申请日期 | 2014.09.03 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 邓樟鹏 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种硅控整流器ESD保护结构，其特征是，包括：一硅控整流器其接地端通过并联的MOS管和第一电阻接地，所述MOS管栅极通过第二电阻接地；所述硅控整流器包括：位于P型阱顶端被P型阱隔离开的第一P+扩散区和第一N+扩散区，位于N型阱顶端被N型阱隔离开的第二P+扩散区和第二N+扩散区；第一P+扩散区和第一N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的接地端，第二P+扩散区和第二N+扩散区相连形成所述所述硅控整流器的静电端。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||