发明名称 |
磁保持继电器的磁片多点限位式结构 |
摘要 |
本实用新型公开了一种磁保持继电器的磁片多点限位式结构,该结构包括推片、铁架、铁芯片和磁片;推片与铁架固定连接,铁架的一端插接在骨架的中心孔内,磁片位于铁架与铁芯片之间,且三者通过树脂粘贴固定;铁芯片的一面上设有单限位凸点,且铁芯片的另一面上内嵌有双限位凹槽,铁架上设有与单限位凸点相适配的单限位凹槽,磁片上设有与双限位凹槽相适配的双限位凸点。本实用新型实现了磁片、铁架、铁芯片之间先树脂固定后多点限位的结构,使得继电器在动作时磁片能够因为多点限制的设作用而不会在铁架及铁芯片之间产生相对位移,提高磁保持继电器磁片的稳定性,可有效避免磁保持继电器的磁片不稳定产生的磁场混乱现象。 |
申请公布号 |
CN204144165U |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201420412909.3 |
申请日期 |
2014.07.25 |
申请人 |
旺荣电子(深圳)有限公司 |
发明人 |
石松礼;船山直也;冯旭强;游平 |
分类号 |
H01H50/16(2006.01)I |
主分类号 |
H01H50/16(2006.01)I |
代理机构 |
东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 |
代理人 |
皮发泉 |
主权项 |
一种磁保持继电器的磁片多点限位式结构,其特征在于,包括推片、铁架、铁芯片和磁片;所述推片与铁架固定连接,所述铁架的一端插接在骨架的中心孔内,所述磁片位于铁架与铁芯片之间,且三者通过树脂粘贴固定;所述铁芯片的一面上设有单限位凸点,且所述铁芯片的另一面上内嵌有双限位凹槽,所述铁架上设有与单限位凸点相适配的单限位凹槽,所述磁片上设有与双限位凹槽相适配的双限位凸点。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区沙井街道西环路民主九九工业城D区A栋 |