一种硅片薄膜的生长方法

摘要

本发明公开了一种硅片薄膜的生长方法，包括：测得一控制硅片位置与周边位置的薄膜厚度比；利用所述厚度比在硅片上进行第一次薄膜生长；在第一次生长的薄膜上进行光刻胶旋涂；利用硅片周边曝光系统对硅片周边位置进行曝光，经显影后将部分光刻胶去除；通过刻蚀将硅片部分薄膜去除；去除剩余的光刻胶后，利用所述厚度比进行第二次薄膜生长，通过两次薄膜生长使薄膜达到要求的厚度。本发明所述硅片薄膜的生长方法，能使硅片上生长的薄膜其位置和周边位置的薄膜厚度一致，减少硅片周边芯片的失效率，提高产品的成品率。

主权项

一种硅片薄膜的生长方法，要制造一片最终薄膜厚度为T的产品硅片，包括以下步骤： (1)测得一监控硅片的薄膜厚度，其中央位置的薄膜厚度为a，周边位置的薄膜厚度为b，中央位置与周边位置的薄膜厚度比为a/b； 当a/b>1时，步骤如下： (2)在一产品硅片上进行第一次薄膜生长，使产品硅片中央位置的薄膜厚度为T(a/b‑1)，产品硅片周边位置的薄膜厚度为T(1‑b/a)； (3)在第一次生长的薄膜上进行负性光刻胶旋涂； (4)利用硅片周边曝光系统对产品硅片周边位置进行曝光，经显影后将产品硅片中央位置的光刻胶去除，周边位置的光刻胶保留； (5)通过刻蚀将产品硅片中央位置的薄膜去除，周边位置的薄膜保留； (6)去除周边位置的光刻胶后，进行第二次薄膜生长，使产品硅片中央位置的薄膜厚度为T，周边位置的薄膜厚度为Tb/a； 当a/b<1时，步骤如下： (7)在一产品硅片上进行第一次薄膜生长，使产品硅片中央位置的薄膜厚度为T(1‑a/b)，产品硅片周边位置的薄膜厚度为T(b/a‑1)； (8)在第一次生长的薄膜上进行正性光刻胶旋涂； (9)利用硅片周边曝光系统对产品硅片周边位置进行曝光，经显影后将产品硅片周边位置的光刻胶去除，中央位置的光刻胶保留； (10)通过刻蚀将产品硅片周边位置的薄膜刻蚀去除，中央位置的薄膜保留； (11)去除中央位置的光刻胶后，进行第二次薄膜生长，使产品硅片中央位置的薄膜厚度为Ta/b，周边位置的薄膜厚度为T。