| 发明名称 | 锗硅薄膜监控片的制备方法及采用该片进行监控的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种锗硅薄膜监控片的制备方法，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，即为锗硅薄膜监控片。该制备方法简单，制造成本低。本发明还公开了一种采用锗硅薄膜监控片监控锗硅薄膜的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102954903B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201110240913.7 | 申请日期 | 2011.08.22 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | G01N1/28(2006.01)I;G01N33/00(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G01N1/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种锗硅薄膜监控片的制备方法，其特征在于，包括：步骤一，将一组具有尺寸变化的测量图形，形成在光刻掩膜版中；所述一组测量图形中的各个所述测量图形都为矩形孔，各所述测量图形排列成矩形孔阵列组成所述一组测量图形，各所述测量图形对应的所述矩形孔的长度和宽度以及所述矩形孔阵列的空间周期这三个尺寸中有两个相同、另一个会随着位于所述矩形孔阵列的位置不同而变化；步骤二，在衬底上淀积锗硅薄膜；步骤三，在所述衬底上涂光刻胶，并用步骤一中所述的光刻掩膜版进行曝光，显影后在所述锗硅薄膜上形成测量图形，即为锗硅薄膜监控片。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||