| 发明名称 | 光半导体电极以及使用具备光半导体电极的光电化学单元对水进行光分解的方法 | ||
| 摘要 | 本发明为了提高氢的产生效率而提供一种具有高量子效率的光半导体电极、以及使用具备该光半导体电极的光电化学单元来对水进行光分解的方法。本发明的光半导体电极(200)，具备：导电基板(102)；第一半导体光催化剂层(202)，其形成在导电基板(102)的表面上；以及第二半导体光催化剂层(203)，其设置在第一半导体层的表面上，光半导体电极(200)在表面具有多个柱状突起，并且各柱状突起的表面由第二半导体光催化剂层(203)形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104334773A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201480001405.5 | 申请日期 | 2014.04.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 田村聪;羽藤一仁;德弘宪一;藏渊孝浩;水畑穰 |
| 分类号 | C25B11/06(2006.01)I;B01J21/06(2006.01)I;B01J35/02(2006.01)I;C25B9/00(2006.01)I | 主分类号 | C25B11/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李国华 |
| 主权项 | 一种光半导体电极，具备：导电基板；第一半导体光催化剂层，其形成在所述导电基板的表面上；以及第二半导体光催化剂层，其设置在所述第一半导体层的表面上，其中，所述导电基板的费米能级与真空能级之间的能量差，小于所述第一半导体光催化剂层的费米能级与真空能级之间的能量差，所述第一半导体光催化剂层的费米能级与真空能级之间的能量差，小于所述第二半导体光催化剂层的费米能级与真空能级之间的能量差，所述第一半导体光催化剂层的价带的上端与真空能级之间的能量差，大于所述第二半导体光催化剂层的价带的上端与真空能级之间的能量差，所述第一半导体光催化剂层的导带的下端与真空能级之间的能量差，大于真空能级与所述第二半导体光催化剂层的导带的下端之间的能量差，所述光半导体电极在表面具有多个柱状突起，并且各柱状突起的表面由所述第二半导体光催化剂层形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||