具有槽屏蔽电极结构的半导体器件

摘要

在一个实施方式中，具有槽屏蔽电极的半导体器件的结构包括控制垫、控制浇道、屏蔽浇道和控制/屏蔽电极接触结构。该结构配置成使用单层金属来将各种部件连接在一起。在另一实施方式中，屏蔽浇道放置成从中心配置偏离。

主权项

一种半导体器件结构，其包括：半导体材料区，其包括主表面、第一边缘和相对的第二边缘，以及第一角；第一槽结构，其在半导体器件的有源区中形成，其中，所述第一槽结构包括第一控制电极和第一屏蔽电极；第一源极区，其在所述有源区中相邻于所述第一槽结构形成；第一接触结构，其相邻于所述第一边缘形成，其中，所述第一控制电极和所述第一屏蔽电极在所述第一接触结构中终止，且其中，所述第一槽结构从所述有源区延伸到所述第一接触结构；控制垫，其形成为覆盖在所述主表面上；第一控制浇道，其形成为覆盖在所述主表面上，并在所述第一接触结构中连接到所述控制垫和所述第一控制电极，其中，所述第一控制浇道具有第一端部部分；第一屏蔽电极浇道，其形成为覆盖在所述主表面上，并在所述第一接触结构中连接到所述第一屏蔽电极；以及第一传导层，其连接到所述有源区中的所述第一源极区，并连接到所述第一屏蔽电极浇道，其中，所述第一传导层进一步包括包围在所述第一端部部分周围的第一部分。