| 发明名称 | 过热保护三端双向可控硅开关及其保护方法 | ||
| 摘要 | 一种三端双向可控硅开关电路，包括：三端双向可控硅开关，具有第一和第二主端子(MT1、MT2)和栅极端子，以及晶闸管，连接在所述主端子(MT1、MT2)之一与所述三端双向可控硅开关电路的控制端子之间。当通过温度诱导泄漏电流接通晶闸管时，所述晶闸管用于防止所述三端双向可控硅开关的接通。 | ||
| 申请公布号 | CN102739221B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201210088367.4 | 申请日期 | 2012.03.28 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 尼克·汉姆;黄玉恩;章剑锋;马克·沃里克;安德鲁·巴特勒;金明豪 |
| 分类号 | H03K17/72(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/72(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王玮 |
| 主权项 | 一种三端双向可控硅开关电路，包括： 三端双向可控硅开关(10)，具有第一和第二主端子(MT1、MT2)以及栅极端子，用于接收三端双向可控硅的触发电流；以及 晶闸管(30)，连接在所述主端子(MT1、MT2)之一与所述三端双向可控硅开关电路的控制端子之间，其中调节所述晶闸管(30)，使得当上升至预定温度时，通过由晶闸管自身的热致泄漏电流将所述晶闸管接通，以在所述控制端子和所述主端子之间形成短路，所述晶闸管的栅极端子是开路； 其中，晶闸管(30)的保持电流小于所述三端双向可控硅的触发电流，所述晶闸管(30)响应于所述预定温度而接通，并响应于所述三端双向可控硅的触发电流而保持接通。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||