一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法，将专用的挤压去边机应用于硅晶圆抛光片边缘氧化膜处理过程，1、将硅晶圆片背封面与胶圈垫片胶圈面对齐，参考面朝下，放在挤压去边机的定位台上定位；2、通过转动螺纹挤压杆将定位好的硅晶圆片和胶圈垫片紧紧挤压到一起；3、将夹好硅晶圆片和胶圈垫片的挤压去边机放置于充满HF蒸汽的腔室或将夹好硅晶圆片和胶圈垫片局部浸入HF溶液中，摇动摇柄使右侧挤压盘旋转，4、用纯水冲洗掉硅晶圆片表面残留的HF后，将硅晶圆片和胶圈垫片分离，本方法可精确控制HF对SiO₂膜的去除范围，提高生产效率；降低成本，利于大规模量产，能满足任何规格的晶圆边缘氧化膜去除的生产需要。

主权项

一种采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法，其特征在于，设计专用挤压式去边机，将专用的挤压式去边机应用于硅晶圆抛光片边缘氧化膜处理过程；所述挤压式去边机由支架、定位台 、挤压进退组件、挤压盘和 旋转组件构成；所述支架作为定位台 、挤压进退组件、挤压盘和 旋转组件的支承体呈U形，支架的左右两侧板镜向对称，左右两侧板上分别加工一个轴孔，两轴孔同心； 所述定位台为h形状，定位台的下部固定在支架的底板平面中央位置上；其定位台底面和垂直面相互垂直成直角；所述挤压进退组件由芯轴、螺纹挤压杆、螺孔盘、弹簧、过度盘和左侧挤压盘构成；螺孔盘通过螺栓固定在支架左侧板外侧，螺孔盘的螺孔与左侧板上轴孔位置对应，两孔同心；过度盘固定在支架左侧板内侧，过度盘中心孔与左侧板上轴孔位置对应，两孔同心；螺纹挤压杆旋在螺孔盘上，芯轴装配在螺纹挤压杆的中心孔内，芯轴的轴右端部穿过过度盘和左挤压盘41中心盲孔配合；芯轴31的轴左端部加工螺纹，配合螺母；   水平调整芯轴，使芯轴的轴右端部顶在左挤压盘中心盲孔底部，然后通过销钉将螺纹挤压杆和芯轴固定，当螺纹挤压杆在螺孔盘旋入时， 芯轴随螺纹挤压杆向右移动，左挤压盘在芯轴的顶推下随之向右移动；所述旋转组件由摇柄、动轴、右侧挤压盘构成；摇柄通过动轴驱动右侧挤压盘旋转；    定位台位于左右两个挤压盘中间，定位台底面用于定位硅晶圆片参考面，定位台垂直面用于定位硅晶圆片边缘；左右两个挤压盘与定位台高度为75mm；所述采用挤压方式去除IGBT用硅晶圆抛光片边缘氧化膜的方法，包括如下步骤： 步骤1、 把经过背损伤、清洗之后的硅晶圆片从片蓝中取出，硅晶圆片背封面与胶圈垫片胶圈面对齐，参考面朝下，将其放在挤压式去边机的定位台上定位； 步骤2、 通过转动螺纹挤压杆将定位好的硅晶圆片和胶圈垫片紧紧挤压到一起，根据不同的尺寸更换胶圈垫片；步骤3、 将夹好硅晶圆片和胶圈垫片的挤压式去边机放置于充满HF蒸汽的腔室或将夹好硅晶圆片和胶圈垫片边缘部分浸入HF溶液中，摇动摇柄使右侧挤压盘旋转 ，持续1‑5分钟完全除去边缘的SiO₂膜；步骤4、用纯水冲洗掉硅晶圆片表面残留的HF后，将硅晶圆片和胶圈垫片分离，插入片篮甩干。