锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法

摘要

本发明公开了一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法，跨多晶硅层的第一光刻胶层涂布前，在跨多晶硅层上形成一由无机抗反射材料和第二光刻胶层组成的一平坦结构，无机抗反射材料位于下地图形的台阶结构的正上方、第二光刻胶层位于下地图形的台阶结构外的其它区域；第一光刻胶层在涂布于平坦结构上；第一光刻胶层为正性光刻胶、第二光刻胶层为负性光刻胶。本发明能够改善光刻胶形貌，提高对关键尺寸的控制能力，有利于获得更小尺寸的光刻图形。

主权项

一种锗硅双极CMOS跨多晶硅层的制备方法，其特征在于：跨多晶硅层的第一光刻胶层涂布前，在所述跨多晶硅层上形成一由无机抗反射材料和第二光刻胶层组成的一平坦结构，所述无机抗反射材料位于下地图形的台阶结构的正上方、所述第二光刻胶层位于所述下地图形的台阶结构外的其它区域；所述第一光刻胶层涂布于所述平坦结构上；所述第一光刻胶层为正性光刻胶、所述第二光刻胶层为负性光刻胶。