| 发明名称 | 半导体晶片的激光加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体晶片的激光加工方法，其能制造抗弯强度高的器件。该半导体晶片的激光加工方法的特征在于，具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，照射的脉冲激光束的脉宽为2ns以下，峰值能量密度为5GW/cm<sup>2</sup>～200GW/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN101890578B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201010185018.5 | 申请日期 | 2010.05.21 |
| 申请人 | 株式会社迪思科 | 发明人 | 森数洋司;武田昇;松本浩一 |
| 分类号 | B23K26/364(2014.01)I;B23K26/402(2014.01)I;H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | B23K26/364(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟;吕俊刚 |
| 主权项 | 一种半导体晶片的激光加工方法，其特征在于，该半导体晶片的激光加工方法具有如下的加工槽形成工序：沿着半导体晶片的分割预定线，照射对于半导体晶片具有吸收性的波长的脉冲激光束而在半导体晶片上形成激光加工槽，在该加工槽形成工序中，照射的脉冲激光束的脉宽为1ns以下，峰值能量密度为5GW/cm<sup>2</sup>～200GW/cm<sup>2</sup>，在所述加工槽形成工序中，以会聚在半导体晶片上的光点的直径的16/20～19/20的范围内的重合量，对半导体晶片进行加工进给来形成该加工槽。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||