一种高光效发光二极管的制作方法

摘要

本发明的目的在于，提供一种高光效发光二极管的制作方法。采用ITO作为LED透明导电薄膜。为减少ITO对LED量子阱的光吸收，将ITO薄膜的厚度降低至1200以下。将ITO薄膜分为两步制备：第一步，先蒸镀第一层ITO，厚度500以下，退火炉中高温退火，与P-GaN形成良好的欧姆接触；第二步，继续蒸镀第二层ITO，厚度700左右，此膜层不退火。采用本发明方法制备ITO薄膜与常规工艺制备的ITO薄膜相比，透过率未降低，但由于对量子阱的光吸收减少，所制备的LED大功率芯片的光功率比常规工艺增加5％以上，工作电压没有明显升高。因此，最终LED大功率芯片的光效提高了3％以上。

主权项

一种高光效发光二极管的制作方法，包括如下步骤： 步骤1：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法，在半导体衬底1上依次生长低温GaN缓冲层2、不掺杂GaN层3、N‑GaN层4、多量子阱发光层5和P‑GaN层6，形成GaN外延片； 步骤2：将GaN外延片的一侧进行刻蚀，形成台面41； 步骤3：在GaN外延片的上表面蒸镀第一层ITO薄膜7，在退火炉中对第一层ITO薄膜7退火； 步骤4：在退火后的第一层ITO薄膜7上蒸镀第二层ITO薄膜8，不进行退火； 步骤5：对第一层ITO薄膜7和第二层ITO薄膜8进行光刻和腐蚀工艺，在P型台面上形成ITO透明电极； 步骤6：在第二层ITO薄膜8上制作P电极，在台面41上制作N电极，完成器件制备。