| 发明名称 | 一种薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管，涉及场效应晶体管领域，该薄膜晶体管的宽长比较大，有利于提高开态电流。一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，所述源极包括具有开口的环形，沿第一方向所述开口的宽度最大，且所述开口的最大宽度小于所述源极内环沿第一方向上任意两点的最大距离；所述漏极被所述环形包围，且与所述源极不接触；所述漏极与所述源极内环的间隔相同。用于薄膜晶体管、包含该薄膜晶体管的显示面板以及显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN104332490A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201410606296.1 | 申请日期 | 2014.10.27 |
| 申请人 | 重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 王武;邱海军;尚飞;王国磊 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括栅极、源极和漏极，其特征在于，所述源极包括具有开口的环形，沿第一方向所述开口的宽度最大，且所述开口的最大宽度小于所述源极内环沿第一方向上任意两点的最大距离；所述漏极被所述环形包围，且与所述源极不接触；所述漏极与所述源极内环的间隔相同。 | ||
| 地址 | 400714 重庆市北碚区水土高新技术产业园云汉大道5号附12号 | ||