发明名称 |
ROM器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种ROM器件及其制造方法,所述方法包括:提供基底;在所述基底内形成埋层区;在具有埋层区的基底上形成栅极;在所述基底的埋层区上形成金属硅化物。本发明所提供的ROM器件制造方法,由于在所述基底的埋层区上形成了金属硅化物,而所述金属硅化物能够有效地减小埋层区的寄生电阻,所述埋层区寄生电阻的减小有利于ROM器件特征尺寸的进一步减小,且不会影响所述ROM器件的运行速度。按照本发明所提供的ROM器件制造方法,能够生产出特征尺寸为0.18μm的FLAT CELL ROM器件。 |
申请公布号 |
CN102810516B |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201110147412.4 |
申请日期 |
2011.06.02 |
申请人 |
无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
肖莉 |
分类号 |
H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8246(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
常亮;李辰 |
主权项 |
一种ROM器件制造方法,其特征在于,包括:提供基底;在所述基底内形成埋层区;在所述基底内相邻埋层区之间形成增强隔离区,所述增强隔离区为PN结隔离区;在具有埋层区的基底上形成栅极,所述栅极位于所述基底的增强隔离区之上;采用极性氧化方式在所述基底的增强隔离区除去栅极以外的区域上形成氧化层;在所述基底的埋层区上形成金属硅化物;其中,采用极性氧化方式形成氧化层的过程包括:将所述基底浸入导电溶液中或将所述基底置于等离子体中,向所述基底施加一定的偏压,电子会从P型掺杂的增强隔离区流向N型掺杂的埋层区,使得在所述基底上对应P型掺杂的增强隔离区形成氧化层。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 |