具有静电保护结构的功率器件

摘要

本实用新型公开一种具有静电保护结构的功率器件，包括：漂移层、漏区、漏极、P-掺杂区、第一N+掺杂区、P+掺杂区、第一绝缘膜、第二绝缘膜、多晶硅层、栅极、静电保护层、第三绝缘膜、源极、静电电极及导线层，所述静电保护层包括数个第二P-掺杂区以及数个第二N+掺杂区，所述数个第二P-掺杂区与数个第二N+掺杂区相间排列。本实用新型通过在内部设置数个相间排列的P-掺杂区与第二N+掺杂区，以形成一静电保护层—齐纳二极管结构，这样就可以去除静电安全电路等在电源模组内所占的空间，无需再另外设置静电保护结构，提高电源模组的空间效率，减少布线数量以及一些寄生参数，实现高效功率器件。

主权项

一种具有静电保护结构的功率器件，其特征在于，包括：漂移层，形成于所述漂移层下方的漏区，形成于所述漏区下方的漏极，形成于所述漂移层中的P‑掺杂区，形成于所述漂移层中的第一N+掺杂区，形成于所述漂移层中的P+掺杂区，形成于所述漂移层上的第一绝缘膜，形成于所述漂移层、第一P‑掺杂区与第一N+掺杂区上的第二绝缘膜，形成于所述第一、第二绝缘膜上的多晶硅层，形成于所述第二绝缘膜上的栅极，形成于所述第一绝缘膜上的静电保护层，形成于所述栅极、第一N+掺杂区、多晶硅层及静电保护层上的第三绝缘膜，形成于所述P+掺杂区与第一N+掺杂区上的源极，形成于所述多晶硅层上的静电电极，以及形成于所述源极、第三绝缘层及静电电极上的导线层；所述静电保护层包括数个第二P‑掺杂区以及数个第二N+掺杂区，所述数个第二P‑掺杂区与数个第二N+掺杂区相间排列。