发明名称 |
晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺 |
摘要 |
本发明涉及一种晶圆级扇出型堆叠封装结构及其制造工艺,包括两个或多个晶圆级扇出型封装单元,其特征是:所述晶圆级扇出型封装单元包括第一塑封材料,在第一塑封材料中设置铜柱或铜线,第一塑封材料的正面设置正面再布线层,正面再布线层上设置正面微凸点,第一塑封材料的背面设置背面再布线层,背面再布线层上设置背面微凸点;相邻两个晶圆级扇出型封装单元通过上层封装单元的背面微凸点和下层封装单元的正面微凸点连接。本发明首先将芯片粘结在膜材料上,然后将铜柱与临时载片键合,然后粘附到膜材料上,应用塑封料进行整体塑封,再进行RDL和微凸点的工艺、三维堆叠工艺。本发明节约制造成本,并可以降低晶圆的翘曲,提高晶圆可靠性。 |
申请公布号 |
CN104332456A |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201410448238.0 |
申请日期 |
2014.09.04 |
申请人 |
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
发明人 |
何洪文;孙鹏;曹立强;林挺宇 |
分类号 |
H01L23/538(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/538(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 |
代理人 |
殷红梅;刘海 |
主权项 |
一种晶圆级扇出型堆叠封装结构,包括两个或多个晶圆级扇出型封装单元,其特征是:所述晶圆级扇出型封装单元包括第一塑封材料(6),在第一塑封材料(6)中设置贯穿第一塑封材料(6)正面和背面的铜柱或铜线(4),铜柱或铜线(4)的上表面与第一塑封材料(6)的正面平齐,铜柱或铜线(4)的下表面与第一塑封材料(6)的背面平齐;在所述第一塑封材料(6)的正面设置正面再布线层(7),正面再布线层(7)与铜柱或铜线(4)的上表面连接,在正面再布线层(7)上设置正面微凸点(8);在所述第一塑封材料(6)的背面设置背面再布线层(11),背面再布线层(11)与铜柱或铜线(4)的下表面连接,在背面再布线层(11)上设置背面微凸点(12);所述相邻两个晶圆级扇出型封装单元通过上层晶圆级扇出型封装单元的背面微凸点(12)和下层晶圆级扇出型封装单元的正面微凸点(8)连接。 |
地址 |
214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋 |