| 发明名称 | 一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法，其步骤依次为，在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅，通过低温氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高锗浓度的锗硅作为沟道。通过这种方法，能有效提高作为沟道材料的锗硅薄膜中锗的浓度以增加沟道的空穴迁移率，降低阈值电压，提升器件性能，同时减少锗硅薄膜的缺陷密度，提高器件良率，而且工艺成熟易操作，稳定性好，操作时间短，适合大批量生产，制备成本低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN104332389A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201410410397.1 | 申请日期 | 2014.08.20 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 钟旻 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人 | 吴世华;林彦之 |
| 主权项 | 一种高锗浓度锗硅沟道的制备方法，其特征在于，在硅衬底上制备低锗浓度的锗硅，通过氧化转化为高锗浓度的锗硅以及其表面的二氧化硅，再去除表面的二氧化硅，形成高锗浓度的锗硅作为沟道。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 | ||