| 发明名称 | 超结器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及具有变化深度的补偿区域与无源极区的组合的超结器件。一种超结器件包括：半导体主体，其具有第一表面；第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；漏极区，其毗连内区；第二导电类型的基区，其部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；包括多个单元的单元阵列：其中，在单元阵列的第一组单元的每个单元中，第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面，其中，在单元阵列的第二组单元的每个单元中，源极区的面积小于单元阵列的第一组单元的每个单元中的源极区的面积；以及第二导电类型的补偿区域，其部署在半导体主体中并且毗连基区，并且具有变化的深度。 | ||
| 申请公布号 | CN204144264U | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201420180475.9 | 申请日期 | 2014.04.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | W.凯因德尔;A.维尔梅罗特 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 胡莉莉;王忠忠 |
| 主权项 | 一种超结器件，所述超结器件包括：半导体主体，其具有第一表面；第一导电类型的内区，其部署在半导体主体中，并且毗连半导体主体的第一表面；漏极区，其毗连内区； 第二导电类型的基区，其部署在半导体主体中并且毗连半导体主体的第一表面；包括多个单元的单元阵列： 其中，在单元阵列的第一组单元的每个单元中，第一导电类型的源极区部署在基区中并且毗连半导体主体的第一表面， 其中，在单元阵列的第二组单元的每个单元中，源极区的面积小于单元阵列的第一组单元的每个单元中的源极区的面积；以及第二导电类型的补偿区域，其部署在半导体主体中并且毗连基区，并且具有变化的深度。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||