薄膜晶体管

摘要

本发明提供一种具有迁移率良好，应力耐受性也优异，并且湿蚀刻特性也良好的氧化物半导体层的薄膜晶体管。本发明的薄膜晶体管在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极和保护膜，其中，所述氧化物半导体层是具有第一氧化物半导体层(IGZTO)和第二氧化物半导体层(IGZO)的层叠体。所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，且在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量为，In:25％以下(不含0％)、Ga:5％以上、Zn:30.0～60.0％和Sn:8～30％。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，在基板上至少按顺序具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源‑漏电极和保护所述源‑漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层是具有由In、Ga、Zn、Sn和O构成的第一氧化物半导体层以及由In、Ga、Zn和O构成的第二氧化物半导体层的层叠体，所述第二氧化物半导体层形成于所述栅极绝缘膜之上，并且所述第一氧化物半导体层形成于所述第二氧化物半导体层与所述保护膜之间，并且，在所述第一氧化物半导体层中，各金属元素相对于除去氧的全部金属元素的含量按原子％计为In：25％以下且不含0％、Ga：5％以上、Zn：30.0～60.0％、和Sn：8～30％。