| 发明名称 | 一种制备高质量氮化物的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备高质量氮化物的方法，属于半导体技术领域。解决现有“侧向外延法”工艺复杂、环境要求苛刻、需要二次外延、成本昂贵且不利于大规模生产的技术问题。本方法包括(1)选取衬底材料；(2)利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)直接生长外延材料；所述衬底材料与外延材料之间的晶格失配度为0.5％～10％。本方法能够一次性生长出低位错密度的高质量氮化物，具有工艺简单、生长周期短、材料质量好等优点，是实现氮化物材料高质量、低成本生长的有效手段，为实现高性能氮化物光电子器件和微电子器件奠定了基础。 | ||
| 申请公布号 | CN104328488A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201410427266.4 | 申请日期 | 2014.08.26 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明人 | 黎大兵;孙晓娟;宋航;蒋红;李志明;陈一仁;缪国庆;张志伟 |
| 分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人 | 南小平 |
| 主权项 | 一种制备高质量氮化物的方法，其特征在于，包括：(1)选取衬底材料；(2)利用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)直接生长外延材料；所述衬底材料与外延材料之间的晶格失配度为0.5％‑10％。 | ||
| 地址 | 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号 | ||