一种CMOS图像传感器像素结构

摘要

本实用新型公开了一种CMOS图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，电荷传输晶体管的栅极制作在所述半导体基体内部，电荷传输晶体管的栅极与所述光电二极管之间设置有P型离子隔离区。电荷传输晶体管工作时，其沟道附近的电场方向由电荷传输晶体管栅极指向光电二极管，沿着电场线方向的电势逐渐降低；电荷传输晶体管从开启状态转换到关闭状态过程中，P型离子隔离区和电荷传输晶体管沟道中的电子只能沿着电场线的反方向移动，而不会流入光电二极管中，电荷传输晶体管不会产生噪声。

主权项

一种CMOS图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，所述电荷传输晶体管的栅极制作在所述半导体基体内部，所述电荷传输晶体管的栅极与所述光电二极管之间设置有P型离子隔离区。