高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法

摘要

本发明公开了一种高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法，其集电区的形成方法为：在三极管有源区打开后渐变深度的多次注入集电区N型杂质，然后通过快速热退火使多次注入的N型杂质连成一片，形成均匀的N型集电区杂质分布。该方法能有效降低集电区的总体电阻，与高成本的外延层集电区性能相一致，采用该方法制造的高压锗硅异质结双极晶体管成本低、且性能高。

主权项

一种高压锗硅异质结双极晶体管的制造方法，包括形成集电区、基区和发射区；其特征在于，其集电区的形成方法为：在三极管有源区打开后渐变深度的多次注入集电区N型杂质，然后通过快速热退火使多次注入的N型杂质连成一片，形成均匀的N型集电区杂质分布，该制造方法具体包括如下步骤：步骤一、在P型硅衬底上形成场氧区沟槽和有源区；步骤二、在所述有源区两侧的场氧区底部进行N型离子注入形成赝埋层；步骤三、在所述场氧区沟槽中填入氧化硅形成场氧区；步骤四、在所述有源区中进行渐变深度的多次N型离子注入形成集电区；然后再进行快速热退火工艺，使多次注入的N型杂质连成一片，形成均匀的N型集电区杂质分布；步骤五、形成基区；步骤六、形成发射区；步骤七、在所述赝埋层顶部的场氧区中形成深孔接触引出集电区电极。