| 摘要 |
【課題】 半導体基板表面への粘着層の残存を抑制する半導体片の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体片の製造方法は、半導体基板Ｗの表面に、上方に向けて開口７６０の幅が徐々に広くなる第１の膜部分７５２と、第１の膜部分７５２の上端から、第１の膜部分における開口の幅が広がる角度よりも狭い角度で上方に延びる第２の膜部分７５４とを有するフォトレジスタ７５０を形成する工程と、フォトレジスト７５０を利用して、基板の裏面に向けて幅が徐々に狭くなる第１の溝部分と、当該第１の溝部分の最下部の幅よりも狭くならずに基板の裏面側に向かう第２の溝部分とを有する表面側の溝を異方性ドライエッチングで形成する工程と、基板表面に粘着層を有するダイシング用テープを貼り付ける工程と、基板の裏面側から表面側の溝に沿って裏面側の溝をダイシングブレードで形成する工程と、その後にダイシング用テープを剥離する工程と、を備える。【選択図】 図１２ |
