| 发明名称 | 中空型硅类粒子及其制备方法和包括该粒子的锂二次电池用负极活性物质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及中空型硅类粒子及制备方法及锂二次电池用负极活性物质，上述中空型硅类粒子包含在内部包括空芯部的硅(Si)粒子或硅氧化物(SiO<sub>x</sub>，0＜x＜2)粒子，上述空芯部的大小为5nm至45μm。本发明在硅类粒子的内部形成有中空，从而能够向硅类粒子的内部/外部两方向引导体积膨胀，因而最小化体积向硅类粒子的外部膨胀，由此能够提高锂二次电池的容量特性及寿命特性。并且，本发明的中空型硅类粒子的新的制备方法能够进行批量生产，且与现有的通过化学气相沉淀法或气-液-固法的工序相比，生产速度快，在工序或安全性方面有利。 | ||
| 申请公布号 | CN104334496A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201480001449.8 | 申请日期 | 2014.05.15 |
| 申请人 | 株式会社LG 化学 | 发明人 | 韩玑范;朴洪奎;郑王谟;姜盛中;赵治皓;柳志勋 |
| 分类号 | C01B33/12(2006.01)I;C01B33/023(2006.01)I;B82B1/00(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 金龙河;穆德骏 |
| 主权项 | 一种中空型硅类粒子，其特征在于，包含内部包括空芯部的硅(Si)粒子或硅氧化物(SiO<sub>x</sub>，0＜x＜2)粒子，所述空芯部的大小为5nm至45μm。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||