发明名称 |
一种压气机叶片涂层的制备方法及表面改性设备 |
摘要 |
本发明公开一种压气机叶片涂层的制备方法及表面改性设备,制备方法包括:将叶片装入表面改性设备的真空腔室中并抽真空,真空腔室上连接有第一弧源、第二弧源、MEVVA离子源、考夫曼离子源和氮气源;用考夫曼离子源对叶片表面进行清洗;用MEVVA离子源对叶片表面进行离子注入;用第一弧源和第二弧源在叶片表面上镀Ta-Cr-Al膜;用第一弧源、第二弧源以及氮气源在叶片表面上镀(Ta,Cr,Al)×N膜;依次重复完成镀膜。本发明通过采用阴极磁过滤和等离子体增强技术,改善了叶片复杂结构膜层沉积均匀性差的问题,同时采用新型的掺杂Al的Ta-Cr-N纳米多层膜提高叶片表面的耐高温腐蚀和冲蚀能力。 |
申请公布号 |
CN104328385A |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201410578824.7 |
申请日期 |
2014.10.24 |
申请人 |
北京机械工业自动化研究所 |
发明人 |
金杰;王丽叶;王月;陈亮;杨文军;李朋帅 |
分类号 |
C23C14/48(2006.01)I;C23C14/46(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/48(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;常大军 |
主权项 |
一种压气机叶片涂层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S10,准备一表面改性设备,所述表面改性设备具有真空腔室,所述真空腔室上连接有一第一弧源、一第二弧源、一MEVVA离子源、一考夫曼离子源和一氮气源,所述第一弧源采用铬铝合金靶,所述第二弧源采用钽靶,所述MEVVA离子源采用铬阴极;S20,将一叶片装入所述真空腔室中,所述真空腔室抽真空至6.0×10<sup>‑4</sup>Pa到7.0×10<sup>‑4</sup>Pa之间;S30,用所述考夫曼离子源对所述叶片表面进行清洗;S40,用所述MEVVA离子源对所述叶片表面进行离子注入;S50,用所述第一弧源和所述第二弧源在叶片表面上镀Ta‑Cr‑Al膜;S60,用所述第一弧源、所述第二弧源以及氮气源在叶片表面上镀(Ta,Cr,Al)×N膜;S70,依次重复所述步骤S40、S50和S60,同时进行所述步骤S30;S80,镀膜结束后,冷却,对所述真空腔室进行充气,取出完成镀膜的所述叶片。 |
地址 |
100120 北京市西城区德胜门外教场口街一号 |