一种高线性频率调节范围的CMOS压控振荡器

摘要

本发明提供了一种高线性频率调节范围的CMOS压控振荡器，包括互补交叉耦合晶体管差分对和LC并联谐振回路；所述LC并联谐振回路的两端分别与互补交叉耦合晶体管差分对的差分输出端VOUT+、差分输出端VOUT-连接；本发明提出了一种新的可变电容结构，其中包括三对并联连接的增强型PMOS可变电容管和两个电压转换器，该电压转换器除产生初始的控制电压VC外，还产生两个额外的控制电压VC-low和VC-high，这三个电压分别用于控制三对增强型PMOS管，该结构在很大程度上提高了可变电容的C-V特性，同时对频率调节范围的线性度影响不大。

主权项

一种高线性频率调节范围的CMOS压控振荡器，包括互补交叉耦合晶体管差分对和LC并联谐振回路，其特征在于：所述LC并联谐振回路的两端分别与互补交叉耦合晶体管差分对的差分输出端VOUT+、差分输出端VOUT‑连接。