| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管，包括基板、第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层。第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层依次形成在基板的表面。第二n型氮化镓层底面包括形成在边缘处的裸露的粗化表面，且所述粗化表面为反向极化氮化镓结构。由于在第二n型氮化镓层上形成粗化表面，提高了发光二极管的光萃取效率。本发明还提供了一种发光二极管的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102760813B | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201110104692.0 | 申请日期 | 2011.04.26 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 洪梓健;杨顺贵;沈佳辉 |
| 分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人 | 汪飞亚 |
| 主权项 | 一种发光二极管，包括基板、第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层，所述第一n型氮化镓层、第二n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层以及电极层依次形成在基板的表面，其特征在于，所述第二n型氮化镓层底面包括形成在边缘处的裸露的粗化表面，且所述粗化表面为反向极化氮化镓结构，所述粗化表面包括环形的本体以及从环形本体向内延伸的触角。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||