发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置,包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部),驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线,并且,薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层,并且,在驱动电路部中的薄膜晶体管中,利用栅电极层和导电层夹持半导体层,并且,第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。 |
申请公布号 |
CN101997003B |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201010246753.2 |
申请日期 |
2010.08.04 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:同一个衬底上的包括第一薄膜晶体管的驱动电路部、包括第二薄膜晶体管的像素部,所述第一薄膜晶体管及所述第二薄膜晶体管分别包括:衬底上的栅电极层;所述栅电极层上的栅极绝缘层;所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层,所述氧化物半导体层重叠于所述栅电极层;所述氧化物半导体层上的第一导电层,所述第一导电层与所述氧化物半导体层电连接;所述氧化物半导体层上的第二导电层,所述第二导电层与所述氧化物半导体层电连接;所述氧化物半导体层、所述第一导电层和所述第二导电层上的氧化物绝缘层,所述氧化物绝缘层接触于所述氧化物半导体层的端部的第一上表面以及所述第一导电层和所述第二导电层之间的所述氧化物半导体层的第二上表面;所述氧化物绝缘层上的像素电极层;以及所述像素电极层上的液晶层,其中,所述第一薄膜晶体管还包括所述氧化物绝缘层上的重叠于所述氧化物半导体层的第三导电层,所述第二薄膜晶体管的所述第二导电层与所述像素电极层电连接,以及所述氧化物半导体层的不重叠于所述第一导电层或所述第二导电层的区域处于氧过剩状态。 |
地址 |
日本神奈川 |