发明名称 |
显示装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置,其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中,包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成,且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外,在该像素部中,包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成,且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成,并制造高开口率的显示装置。 |
申请公布号 |
CN102005449B |
申请公布日期 |
2015.02.04 |
申请号 |
CN201010263823.5 |
申请日期 |
2010.08.25 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;坂田淳一郎;津吹将志;秋元健吾;细羽幸;坂仓真之;及川欣聪 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
刘倜 |
主权项 |
一种显示装置,包括: 衬底上的像素部,包括: 第一晶体管,包括: 第一栅电极层; 所述第一栅电极层上的栅极绝缘层; 位于所述栅极绝缘层上并部分地重叠于所述第一栅电极层的第一源电极层及第一漏电极层;以及 所述栅极绝缘层、所述第一源电极层及所述第一漏电极层上的第一氧化物半导体层; 所述第一源电极层、所述第一漏电极层及所述第一氧化物半导体层上的第一氧化物绝缘层; 位于所述第一氧化物绝缘层上并与所述第一漏电极层电连接的连接电极层; 所述第一氧化物绝缘层及所述连接电极层上的第二氧化物绝缘层; 所述第二氧化物绝缘层上的保护绝缘层;以及 位于所述保护绝缘层上并与所述连接电极层电连接的像素电极层, 所述衬底上的驱动电路部,包括: 第二晶体管,包括: 第二栅电极层; 所述第二栅电极层上的所述栅极绝缘层; 所述栅极绝缘层上的第二氧化物半导体层;以及 位于所述第二氧化物半导体层上并部分地重叠于所述第二氧化物半导体层的第二源电极层及第二漏电极层; 所述第二源电极层、所述第二漏电极层及所述第二氧化物半导体层上的所述第二氧化物绝缘层;以及 所述第二氧化物绝缘层上的所述保护绝缘层, 其中,所述第一栅电极层、所述栅极绝缘层、所述第一氧化物半导体层、所述第一源电极层、所述第一漏电极层、所述第一氧化物绝缘层、所述第二氧化物绝缘层、所述保护绝缘层及所述像素电极层都具有透光性。 |
地址 |
日本神奈川 |