一种MOS型功率器件及其制造方法

摘要

本发明所提供了一种MOS型功率器件制造方法，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5)去除阻挡层，于第一导电类型阱区内形成第二导电类型源区；(6)在多晶硅层之上形成第二氧化层；(7)在源区和阱区表面上形成第一金属层；(8)在所述半导体基体的背面形成背面电极。该方法先在多晶硅层两侧形成阻挡层，使得在形成第一导电类型阱区的过程中，离子注入时由于阻挡层的横向阻挡，可在保持相同沟道长度的情况下，得到更深阱深的MOS型功率器件，可有效防止闩锁效应的产生。

主权项

一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)于一半导体基体上形成第一氧化层；(2)于第一层氧化层之上形成多晶硅层；(3)于所述多晶硅层两侧形成阻挡层；(4)于所述半导体基体上形成第一导电类型阱区；(5)去除阻挡层，于第一导电类型阱区内形成第二导电类型源区；(6)在多晶硅层之上形成第二氧化层；(7)在源区和阱区表面上形成第一金属层；(8)在所述半导体基体的背面形成背面电极；所述步骤(3)具体为：将第一氧化层以及多晶硅层位于半导体基体的两侧的部分进行去除，然后于剩余部分的第一氧化层以及多晶硅层上覆盖阻挡材料层，对位于半导体基体的两侧的阻挡材料层部分进行去除，形成两侧的阻挡层。