高密度IO互连PoP堆叠封装结构及其制造工艺

摘要

本发明涉及一种高密度IO互连PoP堆叠封装结构及其制造工艺，包括上封装体和下封装体，其特征是：所述下封装体包括具有内部连线结构的下封装体基板，在下封装体基板的背面设置背面焊球，在下封装体基板正面固定芯片和多个正面焊球，正面焊球上设置铜柱，芯片、正面焊球和铜柱被塑封于塑封材料中，铜柱的下端与正面焊球固定，铜柱的上端凸出于塑封材料的表面；所述上封装体背面的焊球与下封装体中的铜柱上表面连接。本发明通过在PoP下封装体上涂覆焊锡膏和贴装金属铜柱的方式，缩小上、下封装体之间的互连节距，提升I/O互连数量。

主权项

一种高密度IO互连PoP堆叠封装结构，包括上封装体（1a）和下封装体（7），其特征是：所述下封装体（7）包括具有内部连线结构的下封装体基板（1），在下封装体基板（1）的背面设置背面焊球（6），在下封装体基板（1）正面固定芯片（4）和多个正面焊球（2），正面焊球（2）上设置铜柱（3），芯片（4）、正面焊球（2）和铜柱（3）被塑封于塑封材料（5）中，铜柱（3）的下端与正面焊球（2）固定，铜柱（3）的上端凸出于塑封材料（5）的表面；所述上封装体（1a）背面的焊球（2a）与下封装体（7）中的铜柱（3）上表面连接。