| 发明名称 | 一种制备纳米多孔硅的电化学腐蚀系统 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种制备纳米多孔硅的电化学腐蚀系统，包括两个腐蚀槽体，采用耐酸材料聚四氟乙烯材料制作，放置在底座支架上，两个腐蚀槽体通过密封固定夹具连接，使两个腐蚀槽体相互隔绝，仅通过硅片形成导通，每个腐蚀槽体底部设有两个电极固定座，腐蚀槽体顶部设有槽盖，槽盖上开有加液口和电极入口，腐蚀槽体底部开有排液口，排液口上安装排液阀。本实用新型降低了腐蚀液的用量，减少了人工操作工艺，降低了硅片损坏性。 | ||
| 申请公布号 | CN204138813U | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201420500229.7 | 申请日期 | 2014.09.01 |
| 申请人 | 中国兵器工业第二一三研究所 | 发明人 | 薛艳;刘兰;任小明;张晶鑫;张蕊;解瑞珍;平川;白颖伟 |
| 分类号 | C25F3/12(2006.01)I;C25F7/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C25F3/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人 | 顾潮琪 |
| 主权项 | 一种制备纳米多孔硅的电化学腐蚀系统，其特征在于：包括两个腐蚀槽体，采用耐酸材料聚四氟乙烯材料制作，放置在底座支架上，两个腐蚀槽体通过密封固定夹具连接，使两个腐蚀槽体相互隔绝，仅通过硅片形成导通，每个腐蚀槽体底部设有两个电极固定座，腐蚀槽体顶部设有槽盖，槽盖上开有加液口和电极入口，腐蚀槽体底部开有排液口，排液口上安装排液阀。 | ||
| 地址 | 710000 陕西省西安市朱雀大街中段20号 | ||