| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置(100)包括基板(10)和设置在基板上的TFT，TFT包括：栅极电极(12)；与栅极电极相对的氧化物半导体层(14)；与氧化物半导体层连接的源极电极(16)和漏极电极(18)；和与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的绝缘层(22)，绝缘层(22)包括与源极电极和漏极电极的至少一部分相接触的下侧区域(22b)和位于下侧区域的上方的上侧区域(22a)，下侧区域(22b)的氢含有率大于上侧区域(22a)的氢含有率。 | ||
| 申请公布号 | CN104335332A | 申请公布日期 | 2015.02.04 |
| 申请号 | CN201380028017.1 | 申请日期 | 2013.04.26 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 富安一秀 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上的TFT，所述TFT具有栅极电极、以隔着栅极绝缘膜与所述栅极电极相对的方式配置的半导体层、以及与所述半导体层电连接的源极电极和漏极电极；和形成在所述源极电极和漏极电极上的绝缘层，所述绝缘层包括：与所述源极电极和漏极电极的上表面中的至少一部分相接触的下侧区域；和位于所述下侧区域的上方的上侧区域，所述下侧区域的氢含有率大于所述上侧区域的氢含有率。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||